半导体HBM专题报告:HBM需求增长强劲,新技术带来设备、材料端升级山西证券2023-12-24.pdf
摘要:投资要点:存力已成AI芯片性能升级核心瓶颈,AI推动HBM需求强劲增长。英伟达发布最新AI芯片H200,内存配置明显提升,存储技术提升为AI性能提升的关键。HBM作为基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,打破内存带宽及功耗瓶颈,GPU性能提升推动HBM技术不断升级。算力驱动AI服务器出货量迅猛增长,叠加GPU搭载HBM数量提升和HBM容量与价值增长,全球HBM市场规模有望从2023年的15亿美元增至2030年的576亿美元,对应2023-2030的年复合增长率达68.3%。HBM量价齐升趋势已现,三大原厂积极扩产。龙头厂商海力士透露明年扩产2倍,公司采用最先进10nm技术扩大2024年产量,其中大部分增量由HBM3e填充,预计2030年HBM出货量有望达到每年1亿颗。三星、美光紧随其后,同样宣布大规模扩产。新技术HBM3e、HBM4等陆续推出,行业量价齐升。TSV为HBM核心工艺,新技术带来设备、材料端升级。TSV技术主要涉及深孔刻蚀、沉积、减薄抛光等关键工艺,多层堆叠结构提升工序步骤,带动量检测、键合等设备需求持续提升。HBM芯片间隙采用GMC或LMC填充,带动主要原材料low-α球硅和low-α球铝需求增长,同时电镀液、电子粘合剂、封装基板、压敏胶带等材料需求也将增加。投资建议:重点关注HBM产业链。材料端:神工股份、联瑞新材、华海诚科、雅克科技;设备端:赛腾股份、中微公司;封测端:通富微电、长电科技;经销商:香农芯创。风险提示:AIGC发展不及预期;AI服务器出货量不及预期;HBM技术发展不及预期;设备和材料的国产替代不及预期。
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