微导纳米立足ALD布局光伏&半导体，拓展CVD打开成长空间东吴证券 2024-01-29（34页）附下载_公司研究_报告

微导纳米立足ALD布局光伏&半导体，拓展CVD打开成长空间东吴证券 2024-01-29（34页）附下载

#光伏 #半导体 #东吴证券

发布机构：东吴证券发布时间：2024-01-29大小：2.54 MB页数：共34页上传日期：2024-01-31语言：中文简体

微导纳米立足ALD布局光伏&半导体，拓展CVD打开成长空间东吴证券2024-01-29.pdf

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摘要：微导纳米(688147)投资要点微导纳米为ALD设备龙头，依托这一平台型技术拓展光伏&半导体领域的应用。微导纳米成立于2015年，将ALD应用至光伏（2022年收入占比73%）、半导体（2022年收入占比7%）、新型显示等领域。ALD技术：自限制性优势明显，应用领域广泛。相较于PVD、CVD等薄膜沉积技术，ALD最大的特点在于自限制性，这一特点使其具备薄膜控制精确度高和台阶覆盖率高的优势，特别适合在对薄膜质量要求高和内部结构复杂的领域应用，包括光伏、半导体等。光伏ALD适用多条技术路线，微导纳米为国内龙头。ALD设备可用于PERC、TOPCon、钙钛矿等，公司均有相应布局，ALD设备市占率领先，并拓展了PECVD、PEALD、扩散退火、TOPCon整线工艺解决方案等，受益于下游扩产，2023年公司光伏领域新签订单为去年同期的2.92倍。半导体先进逻辑及存储领域ALD渗透率提升。随着45nm以下先进制程的发展，原来用于成熟制程的PVD、CVD等无法满足部分工序要求，ALD的应用环节逐步拓宽，其膜厚精度控制和高台阶覆盖率的特性适合在45nm以下节点以及复杂的3D结构等领域应用。（1）逻辑：45nm先进制程下栅介质层适用high-K材料，ALD适用于沉积该种材料，20nm先进制程下器件由MOSFET转向结构更复杂的FinFET，5nm以下向GAAFET转变，ALD高覆盖率的优势显著；（2）存储：3D NAND、DRAM等存储器件的复杂结构需要高深宽比，ALD具备良好的台阶覆盖能力。存储领域空间更大&头部存储器厂有望重启扩产，微导纳米为ALD龙头充分受益。相较于逻辑，ALD在存储领域具备更大的市场，相近制程下存储所需的ALD设备数量约为逻辑的4-5倍；一线存储厂商2023年受政策影响扩产暂缓，未来随着国产技术突破及国产设备引入，资本开支有望加速，利好国产设备商，目前ALD设备TEL和ASM合计占比约75%，微导纳米为国内ALD领军者，逻辑&存储市场开拓顺利，2023年半导体领域新签订单是去年同期的3.29倍。依托ALD技术延展性&客户协同性，微导纳米布局CVD设备。CVD市场空间约为ALD的2-3倍且国产化率仍有待提升，如拓荆科技在PECVD和SACVD市场份额分别为17%和25%，微导纳米进一步拓展CVD设备，进行差异化竞争，以打开更大的市场空间。盈利预测与投资评级：我们预计微导纳米2023-2025年归母净利润分别为2.8/6.0/8.1亿元，当前股价对应动态PE分别为分别57/27/20倍，首次覆盖给予“增持”评级。风险提示：光伏下游装机量和扩产不及预期，晶圆厂资本开支下滑的风险，研发进展不及预期。

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这家伙很懒，什么都没有填写！

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