TMT硬件行业深度:碳化硅:搭乘新能源发展东风 安信国际证券 2023-01-12 附下载
发布机构:安信国际证券发布时间:2023-01-12大小:2.3 MB页数:共34页上传日期:2023-01-13语言:中文简体

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摘要:核心观点SiC是突破性第三代半导体材料:与前两代半导体材料相比,以SiC制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗,是制造高压功率器件与高功率射频器件的理想材料。SiC下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。据Yole预计,全球SiC功率半导体市场规模将从2021年的11亿美元增长至2027年的63亿美元,CAGR超过34%。下游需求旺盛,产品渗透率稳步提升:新能源汽车是SiC器件最大的下游应用市场。SiC器件能在缩减体积的情况下提高能量密度和工作稳定性,并支持高平台电压,有助于解决新能源车“里程焦虑”问题。据Yole预计,SiC新能源领域应用市场将以40%的CAGR从2021年的6.9亿美元增长至2027年的50亿美元。SiC功率器件的市场渗透率将有望在2024年突破10%,行业前景广阔且确定性强。寡头垄断市场,产品供不应求:SiC产业链可分为上游衬底材料、中游外延生长、器件制造以及下游应用市场。虽然我国为全球最大的新能源汽车市场,但SiC器件生产制造能力距国际领先水平仍有较大差距。SiC上中游产业链多被美、日、欧等国企业垄断,外加近年来各国政府提高对新一代芯片研发制造的政策支持,使海外头部公司迅速扩张产能,快速占领市场。尽管近年来我国SiC企业发展迅速,但在关键技术节点上还有待突破,产品良率与性能均弱于海外竞品,短期内国产替代难度大。公司推荐:Wolfspeed(WOLF.US)、OnSemi(ON.US)、STMicro(STM.US)、Infineon(IFNNY.US)、三安光电(600703.SH)、天岳先进(688234.SH)、斯达半导(603290.SH)风险提示:新能源车销量与SiC渗透率不及预期;行业竞争加剧;SiC国产替代进度不及预期;国际政策变化风险

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